فروش ویژه!

پودر SiC 5N، کاربید سیلیسیم بتا مکعبی، 100 نانومتر، 300 نانومتر، 500 نانومتر

کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا، کاربید سیلیکون فاز β با خلوص 5N یا بالاتر است. کاربید سیلیکون مکعبی فاز β دارای ساختار کریستالی مکعبی 3C است و مورفولوژی کریستالی منحصر به فرد آن، سختی نزدیک به الماس را با سختی Mohs 9.5-9.75 به آن می‌دهد. پودر کاربید سیلیکون β با خلوص بالا با استفاده از روش‌های ترموستینگ دمای بالا و رسوب بخار شیمیایی (CVD) تولید می‌شود. این محصول دارای خلوص بالا، محتوای فاز بتای بالا، اندازه ذرات قابل کنترل، فعالیت تف جوشی عالی و پراکندگی خوب است. همزمان، کاربید سیلیکون مکعبی دارای خواص فیزیکوشیمیایی عالی مانند رسانایی حرارتی بالا، سرعت رانش الکترون بالا، تحرک الکترون بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب است. این ماده به طور گسترده در هوافضا، سرامیک‌های پیشرفته، باتری‌های انرژی جدید، عملیات سطحی و صنایع نیمه‌هادی استفاده می‌شود.

$74,900.00 – $100,000.00 / MT

پودر SiC 5N، کاربید سیلیسیم بتا مکعبی، 100 نانومتر، 300 نانومتر، 500 نانومتر

کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا، کاربید سیلیکون فاز β با خلوص 5N یا بالاتر است. کاربید سیلیکون مکعبی فاز β دارای ساختار کریستالی مکعبی 3C است و مورفولوژی کریستالی منحصر به فرد آن، سختی نزدیک به الماس را با سختی Mohs 9.5-9.75 به آن می‌دهد. پودر کاربید سیلیکون β با خلوص بالا با استفاده از روش‌های ترموستینگ دمای بالا و رسوب بخار شیمیایی (CVD) تولید می‌شود. این محصول دارای خلوص بالا، محتوای فاز بتای بالا، اندازه ذرات قابل کنترل، فعالیت تف جوشی عالی و پراکندگی خوب است. همزمان، کاربید سیلیکون مکعبی دارای خواص فیزیکوشیمیایی عالی مانند رسانایی حرارتی بالا، سرعت رانش الکترون بالا، تحرک الکترون بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب است. این ماده به طور گسترده در هوافضا، سرامیک‌های پیشرفته، باتری‌های انرژی جدید، عملیات سطحی و صنایع نیمه‌هادی استفاده می‌شود.

ویژگی‌های عملکردی پودر SiC 5N کاربید سیلیکون بتا مکعبی:

  1. خلوص بالا، با خلوص محصول به 5N یا بالاتر.
  2. محتوای فاز مکعبی تا 99٪، فرم کریستالی فاز β خالص.
  3. ریخت‌شناسی: ذرات کروی با طیف وسیعی از اندازه‌های ذرات قابل انتخاب.
  4. میزان اکسیژن کم، کمتر از 0.3٪.
  5. فعالیت زینترینگ خوب و پراکندگی آسان.
  6. مقاومت عالی در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی.

شاخص فیزیکی

ساختار کریستالی مکعبی
فاز کریستالی ب
محتوای بتا ≥۹۹٪
نقطه ذوب ۲۷۰۰ درجه
دمای تجزیه ۲۸۳۰ درجه ± ۴۰ درجه
ضریب انبساط حرارتی ۲.۵-۷ x۱۰ -۶ /°C
رسانایی حرارتی ۰.۲۵۵ وات بر سانتی‌متر مربع کلوین
سختی موهس ۹.۵-۹.۷۵
سختی ویکرز (میکرو سختی) ۳۳۰۰-۳۵۰۰ کیلوگرم بر میلی‌متر مربع
وزن مخصوص ۳.۲۱۶ گرم بر سانتی‌متر مکعب

 

مشخصات

مشخصات اندازه خلوص SiC (٪) درصد بتا شکل
5N-βSiC-100nm ۱۰۰ نانومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-300nm ۳۰۰ نانومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-500nm ۵۰۰ نانومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-2um 2um 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-5um 5 میکرومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-10um 10um 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-10um 50um 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
7N-βSiC-G ۱-۱۰ میلی‌متر 7N ≥۹۹٪ ذره

 

کاربرد

  1. سنگ زنی ریز
  2. سرامیک‌های دقیق سیلیکون کاربید
  3. باتری‌های انرژی نو
  4. نیمه‌هادی‌ها
  5. پوشش‌های تخصصی
  6. مواد با دمای بالا
  7. قطعات الکترونیکی

 

PDF-LOGO-100-.png

TDS not uploaded

PDF-LOGO-100-.png

MSDS not uploaded

Please enter correct URL of your document.

به بالای صفحه بردن