فروش ویژه!

High purity Beta SiC powder 4N 5N silicon carbide powder 2μm 5μm 10μm

کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا، کاربید سیلیکون فاز β با خلوص 5N یا بالاتر است. کاربید سیلیکون مکعبی فاز β دارای ساختار کریستالی مکعبی 3C است و مورفولوژی کریستالی منحصر به فرد آن، سختی نزدیک به الماس را با سختی Mohs 9.5-9.75 به آن می‌دهد. پودر کاربید سیلیکون β با خلوص بالا با استفاده از روش‌های ترموستینگ دمای بالا و رسوب بخار شیمیایی (CVD) تولید می‌شود. این محصول دارای خلوص بالا، محتوای فاز بتای بالا، اندازه ذرات قابل کنترل، فعالیت تف جوشی عالی و پراکندگی خوب است. همزمان، کاربید سیلیکون مکعبی دارای خواص فیزیکوشیمیایی عالی مانند رسانایی حرارتی بالا، سرعت رانش الکترون بالا، تحرک الکترون بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب است. این ماده به طور گسترده در هوافضا، سرامیک‌های پیشرفته، باتری‌های انرژی جدید، عملیات سطحی و صنایع نیمه‌هادی استفاده می‌شود.

$74,900.00 – $100,000.00 / MT

پودر کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا 4N 5N 2μm 5μm 10μm

پودر کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا، پودر کاربید سیلیکون بتا با خلوص 4N، 5N و 2μm، 5μm و 10μm، کاربید سیلیکون فاز β با خلوص 5N یا بالاتر است. کاربید سیلیکون مکعبی فاز β دارای ساختار کریستالی مکعبی 3C است و مورفولوژی کریستالی منحصر به فرد آن، سختی نزدیک به الماس را با سختی Mohs 9.5-9.75 به آن می‌دهد. پودر کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا با استفاده از روش‌های ترموستینگ دمای بالا و رسوب بخار شیمیایی (CVD) تولید می‌شود. این محصول دارای خلوص بالا، محتوای فاز بتا بالا، اندازه ذرات قابل کنترل، فعالیت تف جوشی عالی و پراکندگی خوب است. همزمان، کاربید سیلیکون مکعبی دارای خواص فیزیکوشیمیایی عالی مانند رسانایی حرارتی بالا، سرعت رانش الکترون بالا، تحرک الکترون بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب است. این ماده به طور گسترده در هوافضا، سرامیک‌های پیشرفته، باتری‌های انرژی جدید، عملیات سطحی و صنایع نیمه‌هادی استفاده می‌شود.

ویژگی‌های عملکرد پودر کاربید سیلیکون بتا SiC با خلوص بالا 4N 5N، 2μm 5μm 10μm:

  1. خلوص بالا، با خلوص محصول به 5N یا بالاتر.
  2. محتوای فاز مکعبی تا 99٪، فرم کریستالی فاز β خالص.
  3. ریخت‌شناسی: ذرات کروی با طیف وسیعی از اندازه‌های ذرات قابل انتخاب.
  4. میزان اکسیژن کم، کمتر از 0.3٪.
  5. فعالیت زینترینگ خوب و پراکندگی آسان.
  6. مقاومت عالی در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی.

شاخص فیزیکی پودر بتا SiC با خلوص بالا، پودر کاربید سیلیکون 4N 5N، 2μm، 5μm، 10μm

ساختار کریستالی مکعبی
فاز کریستالی ب
محتوای بتا ≥۹۹٪
نقطه ذوب ۲۷۰۰ درجه
دمای تجزیه ۲۸۳۰ درجه ± ۴۰ درجه
ضریب انبساط حرارتی ۲.۵-۷ x۱۰ -۶ /°C
رسانایی حرارتی ۰.۲۵۵ وات بر سانتی‌متر مربع کلوین
سختی موهس ۹.۵-۹.۷۵
سختی ویکرز (میکرو سختی) ۳۳۰۰-۳۵۰۰ کیلوگرم بر میلی‌متر مربع
وزن مخصوص ۳.۲۱۶ گرم بر سانتی‌متر مکعب

 

مشخصات

مشخصات اندازه خلوص SiC (٪) درصد بتا شکل
5N-βSiC-100nm ۱۰۰ نانومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-300nm ۳۰۰ نانومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-500nm ۵۰۰ نانومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-2um 2um 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-5um 5 میکرومتر 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-10um 10um 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
5N-βSiC-10um 50um 5N ≥۹۹٪ زیرکروی
7N-βSiC-G ۱-۱۰ میلی‌متر 7N ≥۹۹٪ ذره

 

کاربرد پودر کاربید سیلیکون بتا با خلوص بالا 4N 5N 2μm 5μm 10μm

  1. سنگ زنی ریز
  2. سرامیک‌های دقیق سیلیکون کاربید
  3. باتری‌های انرژی نو
  4. نیمه‌هادی‌ها
  5. پوشش‌های تخصصی
  6. مواد با دمای بالا
  7. قطعات الکترونیکی

 

PDF-LOGO-100-.png

TDS not uploaded

PDF-LOGO-100-.png

MSDS not uploaded

Please enter correct URL of your document.

به بالای صفحه بردن