نانو پودر کاربید سیلیکون 4N تولید کننده چین
نانوپودر کاربید سیلیکون ۴N، تولیدکننده چینی، نانوپودر کاربید سیلیکون با خلوص بالا مانند ۵۰۰ نانومتر، ۳۰۰ نانومتر، ۱۰۰ نانومتر و غیره را عرضه می‌کند. این کاربید سیلیکون فاز β با خلوص ۵ نیوتن یا بالاتر است. کاربید سیلیکون مکعبی فاز β دارای ساختار کریستالی مکعبی ۳C است و مورفولوژی کریستالی منحصر به فرد آن، سختی نزدیک به الماس را با سختی موهس ۹.۵-۹.۷۵ به آن می‌دهد. پودر کاربید سیلیکون β با خلوص بالا با استفاده از روش‌های ترموستینگ دمای بالا و رسوب بخار شیمیایی (CVD) تولید می‌شود. این محصول دارای خلوص بالا، محتوای فاز بتای بالا، اندازه ذرات قابل کنترل، فعالیت تف‌جوشی عالی و پراکندگی خوب است. همزمان، کاربید سیلیکون مکعبی دارای خواص فیزیکوشیمیایی عالی مانند رسانایی حرارتی بالا، سرعت رانش الکترون بالا، تحرک الکترون بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی خوب است. این ماده به طور گسترده در هوافضا، سرامیک‌های پیشرفته، باتری‌های انرژی جدید، عملیات سطحی و صنایع نیمه‌هادی استفاده می‌شود.
ویژگی‌های عملکردی نانوپودر کاربید سیلیکون 4N تولید کننده چین:
- خلوص بالا، با خلوص محصول به 5N یا بالاتر.
- محتوای فاز مکعبی تا 99٪، فرم کریستالی فاز β خالص.
- ریخت‌شناسی: ذرات کروی با طیف وسیعی از اندازه‌های ذرات قابل انتخاب.
- میزان اکسیژن کم، کمتر از 0.3٪.
- فعالیت زینترینگ خوب و پراکندگی آسان.
- مقاومت عالی در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر سایش، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر شوک حرارتی.
شاخص فیزیکی نانوپودر کاربید سیلیکون 4N چین تولید کننده
| ساختار کریستالی | مکعبی |
| فاز کریستالی | ب |
| محتوای بتا | ≥۹۹٪ |
| نقطه ذوب | ۲۷۰۰ درجه |
| دمای تجزیه | ۲۸۳۰ درجه ± ۴۰ درجه |
| ضریب انبساط حرارتی | ۲.۵-۷ x۱۰ -۶ /°C |
| رسانایی حرارتی | ۰.۲۵۵ وات بر سانتی‌متر مربع کلوین |
| سختی موهس | ۹.۵-۹.۷۵ |
| سختی ویکرز (میکرو سختی) | ۳۳۰۰-۳۵۰۰ کیلوگرم بر میلی‌متر مربع |
| وزن مخصوص | ۳.۲۱۶ گرم بر سانتی‌متر مکعب |
مشخصات
| مشخصات | اندازه | خلوص SiC (٪) | درصد بتا | شکل |
| 5N-βSiC-100nm | ۱۰۰ نانومتر | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 5N-βSiC-300nm | ۳۰۰ نانومتر | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 5N-βSiC-500nm | ۵۰۰ نانومتر | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 5N-βSiC-2um | 2um | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 5N-βSiC-5um | 5 میکرومتر | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 5N-βSiC-10um | 10um | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 5N-βSiC-10um | 50um | 5N | ≥۹۹٪ | زیرکروی |
| 7N-βSiC-G | ۱-۱۰ میلی‌متر | 7N | ≥۹۹٪ | ذره |
کاربرد نانوپودر کاربید سیلیکون 4N چین تولید کننده
- سنگ زنی ریز
- سرامیک‌های دقیق سیلیکون کاربید
- باتری‌های انرژی نو
- نیمه‌هادی‌ها
- پوشش‌های تخصصی
- مواد با دمای بالا
- قطعات الکترونیکی
سوالات متداول:
س: چه مقدار نانوپودر β-SiC می‌توانید تولید کنید؟
الف) ما می‌توانیم نانوپودر کاربید سیلیکون با خلوص ۹۹٪، ۹۹.۹٪، ۹۹.۹۹٪ تولید کنیم.
س: فرآیند تولید نانوپودر SiC که شما اتخاذ می‌کنید چیست؟
الف) ما نانوپودر کاربید سیلیکون را با فرآیند CVD تولید می‌کنیم.
