پودر بور آمورف برای خمیرهای الکترونیکی
پودر بور آمورف با خلوص بالا به عنوان منبع فعال ناخالصی نوع p در خمیرهای الکترونیکی عمل می‌کند. ساختار آمورف آن، انرژی فعال‌سازی برای نفوذ بور را کاهش می‌دهد تا تماس اهمی با مقاومت کم در دمای آنیل نسبتاً پایین تشکیل شود. این پودر به عنوان کمک پخت برای متراکم کردن پوشش و بهبود چسبندگی زیرلایه عمل می‌کند. پودر بور آمورف پس از عملیات حرارتی، فاز بورید را برای ایجاد مانع نفوذ فلز و مقاومت در برابر اچینگ پلاسما تشکیل می‌دهد. این پودر مقاومت پوشش را تنظیم کرده و ریزساختار دانه را اصلاح می‌کند تا پایداری حرارتی و قابلیت اطمینان قطعات الکترونیکی را بهبود بخشد.
۱. به عنوان یک منبع ناخالصی نوع p حالت جامد برای تعدیل خواص الکتریکی مواد مبتنی بر سیلیکون عمل می‌کند.
بور آمورف به عنوان یک دهنده فعال بور در خمیرهای آلایش الکترونیکی عمل می‌کند. در طول عملیات حرارتی، ساختار آمورف آن به طور قابل توجهی مانع نفوذ اتم‌های بور را در مقایسه با بور کریستالی کاهش می‌دهد و امکان نفوذ جانشینی به ماتریس سیلیکون را در دماهای نسبتاً پایین برای تشکیل نواحی p+ آلایش شده فراهم می‌کند. این ماده در سلول‌های خورشیدی سیلیکون کریستالی و خمیرهای الکترود نیمه‌هادی برای ساخت میدان‌های سطح پشتی و ساطع‌کننده‌های انتخابی، کاهش موانع تماس فلز-سیلیکون، ایجاد تماس‌های اهمی و افزایش راندمان جمع‌آوری حامل استفاده می‌شود. قابلیت برتر آزادسازی بور در دمای پایین آن با محدودیت‌های بودجه حرارتی دستگاه‌های الکترونیکی همسو است.
۲. به عنوان یک عامل کمکی برای فعال‌سازی زینترینگ در سیستم‌های خمیری عمل می‌کند و باعث افزایش تراکم فیلم می‌شود.
فعالیت سطحی بالای آن – که از سطح ویژه بالای آن ناشی می‌شود – انرژی فعال‌سازی مورد نیاز برای پخت خمیر و تف‌جوشی را کاهش می‌دهد. در طول عملیات حرارتی، مهاجرت اتمی را در فصل مشترک ذرات درون خمیر افزایش می‌دهد و تخلخل و عیوب سوراخ سوزنی را در فیلم پخت شده کاهش می‌دهد. چسبندگی سطحی بین پوشش و زیرلایه‌ها (مانند سیلیکون یا سرامیک) را افزایش می‌دهد، آسیب حرارتی به زیرلایه را در طول پردازش در دمای بالا به حداقل می‌رساند و با فرآیندهای خمیر الکترونیکی هم پخت در دمای پایین سازگار است.
۳. تشکیل درجا فازهای بورید عاملی را برای ایجاد موانع انتشار و مقاومت در برابر حکاکی پلاسما امکان‌پذیر می‌کند.
خمیرهای الکترونیکی حاوی بور آمورف، فازهای فلز-بورید را در محل در طول عملیات حرارتی با دمای بالا تولید می‌کنند. این بوریدها دارای یک شبکه کریستالی متراکم هستند که مانع از نفوذ متقابل یون‌های فلزی، نفوذ فلزات الکترود به زیرلایه سیلیکونی و جلوگیری از خرابی دستگاه به دلیل جریان نشتی می‌شود. علاوه بر این، بوریدها مقاومت بسیار خوبی در برابر حکاکی پلاسما نشان می‌دهند که آنها را برای خمیرهای الکترونیکی ماسک سخت مناسب می‌کند و دقت بالا در انتقال الگوهای ظریف را تضمین می‌کند.
۴. مقاومت ویژه پوشش‌های پخت‌شده را تعدیل می‌کند تا لایه‌های رسانا یا نیمه‌رسانای کاربردی ایجاد کند.
بور آمورف ذاتاً یک نیمه‌رسانای با شکاف نواری باریک است؛ با تنظیم نسبت بارگذاری آن در خمیر، مقاومت ویژه پوشش تف‌جوشی شده می‌تواند به طور مداوم تنظیم شود. این امر امکان ساخت فیلم‌های نیمه‌رسانای کاربردی با قابلیت اتلاف الکترواستاتیک و محافظت از سطح دستگاه را فراهم می‌کند.
۵. کنترل ریزساختار: اصلاح دانه‌ها و افزایش پایداری حرارتی پوشش
در طول فرآیند تف‌جوشی، جزء بور به عنوان پین (گیر) مرزهای دانه عمل می‌کند و از رشد غیرطبیعی دانه در داخل پوشش جلوگیری می‌کند. این امر منجر به ایجاد یک ریزساختار یکنواخت و ریزدانه با کاهش چگالی نقص مرز دانه می‌شود و در نتیجه خطر لایه لایه شدن و ترک خوردگی پوشش در طول چرخه‌های حرارتی را کاهش می‌دهد و قابلیت اطمینان طولانی مدت قطعات الکترونیکی را افزایش می‌دهد.
۶. پرکننده‌های کاربردی برای خمیرهای بسته‌بندی الکترونیکی تخصصی
در خمیرهای محافظ برای دستگاه‌های الکترونیکی مورد استفاده در محیط‌های تابشی، ایزوتوپ ¹⁰B – که با سطح مقطع بالای جذب نوترون مشخص می‌شود – قابلیت‌های محافظت نوترونی را به پوشش می‌دهد و همزمان پایداری ساختاری دمای بالای لایه بسته‌بندی را بهبود می‌بخشد.
