سیلیکون کاربید سبز 64C M14 برای برش ویفر سیلیکونی خورشیدی
سیلیکون کاربید سبز 64C M14 برای برش ویفر سیلیکونی خورشیدی یک ماده برش متداول در صنعت فتوولتائیک است. برش ویفر یک فرآیند مهم در تولید ویفرهای سیلیکونی خورشیدی است. کیفیت پودر کاربید سیلیکون مستقیماً بر سرعت برش، زبری سطح ویفرهای سیلیکونی و در نتیجه عملکرد ویفرهای سیلیکونی تأثیر می گذارد.
پودر Silicon Carbide Green 64C مناسب برای برش سیم ویفر سیلیکونی خورشیدی دارای ویژگی های زیر است:
1. سختی بالا و نیروی برش.
کاربید سیلیکون سبز پیشرو در ساینده های با سختی بالا در میان ساینده های سنتی است. سختی Mohs آن 9.5 و سختی Rockwell 80HRC است که پس از الماس مصنوعی دوم است. اگرچه برش الماس به تدریج در حال ظهور است، پودر میکرو کاربید سیلیکون سبز هنوز از نظر هزینه مزایای قابل توجهی دارد.
2. عملکرد خوب در دمای بالا.
کاربید سیلیکون M14 سبز هنوز هم می تواند پایداری خوبی را در شاخص های فیزیکی و شیمیایی در شرایط برش در دمای بالا حفظ کند. و توانایی آسیاب آن در دماهای بالا تحت تأثیر قرار نمی گیرد. علاوه بر این، پودر کاربید سیلیکون سبز دارای هدایت حرارتی قوی و هدایت حرارتی بالا است. برای جلوگیری از سوزاندن ویفر سیلیکونی، می تواند گرمای تولید شده توسط برش را به مایع برش و بیرون منتقل کند.
3. مشخصات ظاهری ذرات.
سیلیکون کاربید سبز M14 برابر با JIS1200# و F600 است. فرآیند جداسازی طبقه بندی هیدرولیکی، با توزیع اندازه ذرات یکنواخت است. محدوده ذرات بین 2-20 میکرون است. برای بهبود قوام برش مفید است. بنابراین، می تواند از خراش روی ویفرهای سیلیکونی جلوگیری کند. علاوه بر این، اندازه ذرات پودر کاربید سیلیکون سبز باید تا حد امکان منظم باشد تا صافی سطح ویفر سیلیکونی بهبود یابد.
4. نقدینگی.
پودر کاربید سیلیکون سبز و مایع برش را فقط می توان پس از مخلوط کردن به سیم فولادی برای برش وصل کرد. بنابراین، کاربید سیلیکون با سیالیت خوب می تواند به طور یکنواخت در سیال برش پراکنده شود. بنابراین، همچنین می تواند ملات را به آرامی روی سیم فولادی برای برش اسپری کند. سپس کارایی فرآیند برش را بهبود می بخشد.
